용인 1기 팹과 부대시설 건설, 국내 소부장 위한 ‘미니팹’도 구축
[파이낸셜리뷰=박영주 기자] SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 약 9조4000억원을 투자해 첫번째 팹(Fab)과 업무시설을 건설한다고 26일 밝혔다.
SK하이닉스는 26일 이사회 결의를 거쳐 이같은 투자계획을 승인했다. 경기도 용인 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다.
SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다. 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 성장시킨다는 계획이다.
SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이며, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다.
이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 수처리시설‧변전시설‧창고 등의 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다.
SK하이닉스는 용인 첫번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공시점 시장수요에 맞춰 다른 제품의 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.
이와 함께 국내 소부장(소재·부품·장비) 중소기업들의 기술개발과 실증‧평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹은 반도체 소부장 실증을 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설이다. 사측은 미니팹을 통해 실제 생산현장과 유사한 환경을 협력사들에게 제공해 이들이 자체기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원키로 했다.
SK하이닉스 김영식 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “당사는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가 경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.
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