파운드리‧메모리‧패키지에 광학소자까지 통합 ‘원스톱 AI 솔루션’ 예고
“중요한건 AI 구현 가능케하는 고성능‧저전력 반도체” TSMC 추격 가속화
[파이낸셜리뷰=박영주 기자] 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2024’를 열고, AI 시대를 주도할 삼성전자의 차별화된 기술 전략들을 공개했다고 13일 밝혔다.
삼성전자 파운드리 사업부 최시영 사장은 “AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것”이라 강조했다. 원스톱으로 차별화된 기술력을 내세우는 삼성전자가 세계 최대 파운드리 업체 TSMC를 추격할지 주목된다.
현지시간으로 12일 미국 실리콘밸리에서 진행된 행사는 ‘Empowering the AI Revolution’을 주제로, 고객의 AI(인공지능) 아이디어 구현을 위해 삼성전자의 최선단 파운드리 기술은 물론 메모리와 어드밴스드 패키지 분야와의 협력을 통한 시너지 창출 등의 전략 제시가 이뤄졌다.
삼성전자 파운드리 사업부 최시영 사장은 기조연설에서 “AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 것은 AI 구현을 가능하게 하는 고성능‧저전력 반도체”라 강조했다.
이어 “삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱(One-Stop) AI 솔루션을 제공할 것”이라고 덧붙였다.
이번 파운드리 포럼은 미국 실리콘밸리 새너제이에 위치한 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 사옥에서 개최됐으며, 르네 하스(Rene Haas) Arm CEO와 조나단 로스(Jonathan Ross) Groq CEO 등 업계 주요 전문가들이 참석했다.
삼성전자는 반도체 응용처가 확대되며 다변화되는 고객 수요에 대응하고자 AI, HPC, 전장, 엣지컴퓨팅 등 응용처별로 특화된 공정을 제공하고 있다. 올해 행사에서는 기존 파운드리 공정 로드맵에서 SF2Z, SF4U를 추가 공개했다.
삼성전자는 BSPDN(후면전력공급) 기술을 적용한 2나노 공정(SF2Z)을 2027년까지 준비한다는 계획이다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호라인의 병목 현상을 개선하는 기술이다.
SF2Z는 기존 2나노 공정 대비 Power(소비전력), Performance(성능), Area(면적) 등의 지표를 일컫는 PPA 개선 효과뿐 아니라 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 ‘전압강하’ 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있다.
또 다른 신규공정인 4나노 SF4U는 기존 4나노 공정 대비 광학적 축소(optical shrink)를 통해 PPA 경쟁력이 추가 향상되며 2025년 양산 예정이다.
삼성전자는 ▲파운드리 ▲메모리 ▲어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유해 AI 시대에 필요한 사양과 고객 요구에 맞춘 커스텀 솔루션 제공을 위한 협력에 유리하다며, 세개 사업분야간 협력을 통해 고성능·저전력·고대역폭 강점을 갖춘 통합 AI 솔루션을 선보여 고객 편의를 제공할 계획이라 밝혔다.
삼성의 통합 AI 솔루션을 활용하는 팹리스 고객은 파운드리, 메모리, 패키지 업체를 각각 사용할 경우 대비 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축할 수 있다는 설명이다. 나아가 2027년에는 AI 솔루션에 광학 소자까지 통합해 ‘원스톱 AI 솔루션’을 제공할 방침이다.
삼성전자는 현지시간으로 13일 ‘SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2024’를 개최한다. 올해 주제는 ‘AI: Exploring Possibilities and Future’이며 삼성전자는 파트너사들과 AI 시대 고객 맞춤형 기술과 솔루션을 함께 공유하고 제시하는 장을 마련한다.
특히, 마이크 엘로우(Mike Ellow) Siemens CEO, 빌 은(Bill En) AMD VP, 데이비드 라조브스키(David Lazovsky) 셀레스티얼 AI CEO 등이 참석해 AI 시대에 요구되는 칩과 시스템 설계 기술의 발전 방향을 논의한다.
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